标签： HBM
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TrendForce：HBM、QLC 崛起，助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成
7 月 22 日消息，TrendForce 集邦咨询在今日公布的最新研报中表示，在 HBM 和 QLC 崛起的带动下，2024 年 DRAM 内…
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下探 AI GPU 价格，“硅仙人”Jim Keller 谈未来设计：舍弃 HBM 是关键
7 月 17 日消息，本周在接受日经新闻采访时，传奇芯片设计师吉姆・凯勒（Jim Keller）表示：“英伟达在很多细分领域没有提供很好的服务”…
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三星被曝 2024Q3 向英伟达出货 HBM3e 芯片，转移 20-30% 产能将推高 DDR5 内存售价
7 月 16 日消息，三星本月初否认了 HBM3e 内存芯片通过英伟达认证测试的消息，不过集邦咨询最新消息称三星供应链已经转动起来，有望今年第 …
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同比增长 105%，报告称 HBM 芯片明年月产能突破 54 万颗
7 月 10 日消息，工商时报今天报道称，在 SK 海力士、三星、美光三巨头的大力推动下，2025 年高带宽内存（HBM）芯片每月总产能为 54…
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提升 1b nm DRAM 产能以满足 HBM3E 内存需求，消息称 SK 海力士正升级 M16 晶圆厂
6 月 17 日消息，据韩媒 The Elec 报道，SK 海力士计划大幅增加 1b nm 制程 DRAM 内存产能，以满足 HBM3E 内存需…
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TrendForce：HBM3e 带动，2024 年底 HBM 投片量预估占先进制程比重 35%
5 月 20 日消息，据 TrendForce 集邦咨询研究，三大原厂（备注：指美光、SK 海力士和三星电子）开始提高先进制程的投片，产能提升将…
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消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM，提升能效竞争力
5 月 17 日消息，韩媒 ZDNet Korea 今日报道称，三星电子考虑在 HBM4 内存上使用 1c nm 制程（第六代 10+nm 级）…
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消息称三星电子 HBM 内存开发部门双轨化，新团队专责 HBM4 开发
5 月 10 日消息，据韩媒 The Elec 报道，三星电子内部已对其 HBM 内存开发部门进行“双轨化”改造，以增强其在 HBM 业务上的竞…
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HBM3E 订单争夺战继续，三大内存企业瞄准博通需求
5 月 9 日消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，继争夺英伟达及 AMD 的 AI GPU / 加速器用 HBM3E 内存合同后，三星电…
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消息称 SK 海力士 HBM4 内存基础裸片有望采用台积电 7nm 制程
4 月 23 日消息，韩媒 The Elec 在报道中表示，预测 SK 海力士将在 HBM4 内存的基础裸片（Base Die）部分采用台积电 …