标签： 三星电子
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三星电子被控在微处理器和内存制造领域侵犯哈佛大学两项专利
8 月 7 日消息，综合《彭博法律》和路透社报道，哈佛大学本周一向美国得克萨斯州东区地方法院提交起诉书，指控三星电子在微处理器和内存制造领域侵犯…
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三星电子 2024 年底量产 256GB CXL 2.0 内存模块，基于 1y nm DRAM
7 月 18 日消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，三星电子内存部门新业务规划团队负责人 Choi Jang Seok 今日表…
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消息称三星电子正研发“3.3D”先进封装技术，目标 2026 年二季度量产
7 月 3 日消息，韩媒 ETNews 近日报道称，三星电子 AVP 先进封装部门正在开发面向 AI 半导体芯片的新型“3.3D”先进封装技术，…
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设备成本渐成先进制程重要因素，Hyper NA EUV 光刻机价格恐破万亿韩元大关
7 月 2 日消息，韩媒《朝鲜日报》近日表示，ASML 预计于 2030 年左右推出的下一代光刻设备 —— Hyper (0.75) NA EU…
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消息称三星电子、SK 海力士分别考虑申请 5/3 万亿韩元低息贷款，扩张运营
7 月 1 日消息，据《韩国经济日报》报道，三星电子、SK 海力士分别考虑向韩国产业银行申请 5 万亿和 3 万亿韩元（备注：当前分别约 263…
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三星电子宣布其首个背面供电工艺节点 SF2Z 将于 2027 年量产
6 月 13 日消息，三星电子在北京时间今日凌晨举行的三星代工论坛 2024 北美场上宣布，其首个采用 BSPDN（背面供电网络）的制程节点 S…
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Counterpoint Research：三星电视 Q1 领跑全球市场，海信、TCL、LG、小米紧随其后
感谢网友 Diixx 的线索投递！ 5 月 17 日消息，市场调研机构 Counterpoint Research 今日发布的数据显示，今年第一…
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消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM，提升能效竞争力
5 月 17 日消息，韩媒 ZDNet Korea 今日报道称，三星电子考虑在 HBM4 内存上使用 1c nm 制程（第六代 10+nm 级）…
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消息称三星电子 HBM 内存开发部门双轨化，新团队专责 HBM4 开发
5 月 10 日消息，据韩媒 The Elec 报道，三星电子内部已对其 HBM 内存开发部门进行“双轨化”改造，以增强其在 HBM 业务上的竞…
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三星电子会长李在镕访问蔡司总部，深化 EUV 光刻和先进半导体设备合作
4 月 29 日消息，据三星官方新闻稿，三星电子会长李在镕于当地时间 26 日访问蔡司位于德国奥伯科亨的总部，并于蔡司 CEO 卡尔・兰普雷希特…