标签： DRAM
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TrendForce：预估一般型 DRAM 内存 2025 年一季度合约价下跌 8%~13%
12 月 30 日消息，TrendForce 集邦咨询表示，2025Q1 进入 DRAM 内存市场淡季阶段。在智能手机等需求持续萎缩、部分产品提…
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三星电子抢建 10nm 第七代 DRAM 测试线，力图重夺市场领先地位
12 月 19 日消息，韩媒 Business Korea 昨日（12 月 18 日）发布博文，报道称三星电子正积极投资建设 10 纳米级第七代…
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消息称三星 14nm 级 DRAM 拖累 HBM3E 内存认证进度，内部正考虑调整设计
10 月 17 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间 15 日报道，三星电子 HBM3E 产品迟迟未能完整通过最大需方英伟达认证并开…
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南亚科技预计全年内存位元出货量同比增幅超两成，正规划 EUV 工艺
9 月 5 日消息，台湾地区 DRAM 内存企业南亚科技本月 3 日公布今年 8 月合并营收 28.02 亿新台币（备注：当前约 6.2 亿元人…
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消息称三星 1b nm 移动内存良率欠佳，影响 Galaxy S25 系列手机开发
9 月 4 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 报道，三星电子 MX 部门 8 月向 DS 部门表达了对面向 Galaxy S25…
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华邦电子：4Gb DDR4 / LPDDR4 已放量出货，内存工艺明年升级至 16nm
8 月 6 日消息，综合台媒 MoneyDJ 理财网、钜亨网报道，利基型存储企业华邦电子总经理陈沛铭在 8 月 2 日的法人说明会上表示，其 4…
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TrendForce：HBM、QLC 崛起，助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成
7 月 22 日消息，TrendForce 集邦咨询在今日公布的最新研报中表示，在 HBM 和 QLC 崛起的带动下，2024 年 DRAM 内…
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提升 1b nm DRAM 产能以满足 HBM3E 内存需求，消息称 SK 海力士正升级 M16 晶圆厂
6 月 17 日消息，据韩媒 The Elec 报道，SK 海力士计划大幅增加 1b nm 制程 DRAM 内存产能，以满足 HBM3E 内存需…
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威刚董事长陈立白：下半年 DDR4 内存有望涨价 30%
5 月 31 日消息，据台媒《工商时报》报道，存储模组企业威刚董事长陈立白在 2024 台北国际电脑展前的记者交流会上表示，下半年 DDR4 内…
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SK 海力士宣布将清州 M15X 定为 DRAM 生产基地，向厂房投资约 5.3 万亿韩元
4 月 24 日消息，SK 海力士宣布，为应对用于 AI 的半导体需求剧增，决定扩充 AI 基础设施（Infra）的核心产品即 HBM 等新一代…