标签： DRAM
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日本经济产业省宣布向美光广岛 DRAM 内存工厂授予最多 5360 亿日元补贴
9 月 14 日消息，日本经济产业省本月 12 日宣布向美光 Micron 位于广岛县东广岛市的 DRAM 内存工厂提供合计最多 5360 亿日…
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消息称美光全面暂停 DDR4/5 与 LPDDR4/5 内存报价，后续可能调涨 2~3 成
9 月 14 日消息，台媒《联合报》本月 12 日援引通路渠道消息报道称，存储巨头美光 Micron 发出通知，全面停止 DDR4、DDR5、L…
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可提升手机散热性能，SK 海力士开始供应业界首款采用新材料的高效散热移动 DRAM
8 月 28 日消息，SK 海力士 8 月 25 日宣布，已开发完成并开始向客户供应业界首款采用“High-K EMC”材料的高效散热移动 DR…
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科学家实现沉积工艺突破，成功开发 120 层高密度 3D DRAM 结构
8 月 26 日消息，众所周知，现在 NAND 闪存普遍采用 3D 堆叠结构。短短十年内，3D NAND 层数就从 2014 年的 24 层增加…
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Cadence 楷登电子推出业界首款 LPDDR6/5X 14.4Gbps 内存 IP
7 月 10 日消息，随着 JEDEC 协会公布 LPDDR6 DRAM 规范，Cadence 也正式推出了业界首款 LPDDR6/5X 14.…
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国产存储巨头长鑫科技启动上市辅导，曾估值达 1400 亿元
7 月 7 日消息，继紫光展锐之后，半导体行业再迎重磅 IPO 消息。证监会官网今日披露，国产存储巨头长鑫科技拟 IPO 并接受上市辅导，辅导机…
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DRAM 史上最大代际倒挂继续：DDR4 现货平均价 2.6 倍于 DDR5，部分厂商延长生产
7 月 5 日消息，由于供应短缺，在过去几个月时间里，DDR4 内存现货价格持续飙升，因此部分较小规模的厂商开始延长 DDR4 生产周期，但价格…
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消息称三星电子 1c 纳米 DRAM 内存良率明显提升，设计改进起到关键作用
6 月 24 日消息，参考韩媒 SEDaily 当地时间本月 19 日报道和另一家韩媒 MK 的今日报道，三星电子的第六代 10 纳米级（注：即…
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美光首席商务官确认已向多领域客户发布 DDR4 / LPDDR4 内存 EOL 通知
6 月 13 日消息，美光执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 在接受台媒《电子时报》 (DIGITIMES) 专访时表示，该企业已…
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为应对内存良率、性能困局：消息称三星从头设计新版 1b nm DRAM
1 月 21 日消息，韩媒 ETNews 今日报道称，三星电子内部为应对其 12nm 级 DRAM 内存产品面临的良率和性能双重困局，已在 20…