标签： 英诺赛科
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美国 EPC 专利被判决无效，国内氮化镓半导体第一股英诺赛科获 ITC 案件终极胜利
3 月 19 日消息，美国 GaN 技术厂商宜普公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）于 …
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国内氮化镓半导体第一股诞生：英诺赛科成功上市，全球市占率 42.4% 排名第一
12 月 31 日消息，国内氮化镓功率半导体企业英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）12 月 30 日在香港联合交易所主板挂…
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英飞凌扩大对国内氮化镓 GaN 企业英诺赛科专利诉讼，英诺赛科称有信心胜诉
8 月 5 日消息，英飞凌于当地时间 7 月 23 日向美国加州北区地方法院追加诉讼请求，指控英诺赛科侵犯了英飞凌拥有的三项与氮化镓（GaN）技…