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日本研究团队制造新型碲化铌材料，有望作为相变存储器原材料降低生产成本

相变存储器

日本研究团队制造新型碲化铌材料，有望作为相变存储器原材料降低生产成本

9 月 5 日消息，日本东北大学的研究人员日前利用溅射技术制造出了碲化铌（NbTe4）材料，据悉这种材料具有“卓越存储和热性能”，有望应用于相变存储器制造中，从而为业界提供更多原材料选择，降低相关成 ...

风君子
业界
2023-09-05
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华中科技大学成功研制全球最低功耗相变存储器

华中科技大学存储器相变存储器相变材料

华中科技大学成功研制全球最低功耗相变存储器

近日，华中科技大学集成电路学院发文称，学院团队研制出全世界功耗最低的相变存储器。大数据时代对存储器的性能提出了极高的要求，尤其是类脑计算、边缘计算急需功耗极低的存储器。 ...

风君子
业界
2022-01-20
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